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BSS84-7-F  与  BSS84P H6327  区别

型号 BSS84-7-F BSS84P H6327
唯样编号 A36-BSS84-7-F A33-BSS84P H6327
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.3mm 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 10Ω@100mA,5V 8Ω@170mA,10V
上升时间 - 16.2ns
漏源极电压Vds 50V -60V
Pd-功率耗散(Max) 300mW 360mW
Qg-栅极电荷 0.28nC 1.5nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 18ns 8.6ns
正向跨导 - 最小值 0.05S 65mS
FET类型 N-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 130mA -170mA
系列 BSS84 BSS84
通道数量 1Channel 1Channel
配置 Single Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 45pF @ 25V -
长度 2.9mm 2.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V -
典型接通延迟时间 10ns 6.7ns
下降时间 - 20.5ns
高度 1mm 1.10mm
库存与单价
库存 84,991 17,860
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
70+ :  ¥0.781
200+ :  ¥0.3068
1,500+ :  ¥0.222
3,000+ :  ¥0.153
220+ :  ¥0.6862
500+ :  ¥0.6066
2,000+ :  ¥0.5876
4,000+ :  ¥0.5876
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS84-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-3 2.9mm

¥0.781 

阶梯数 价格
70: ¥0.781
200: ¥0.3068
1,500: ¥0.222
3,000: ¥0.153
84,991 当前型号
BSS84LT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.5759 

阶梯数 价格
90: ¥0.5759
200: ¥0.3718
1,500: ¥0.3237
3,000: ¥0.286
77,446 对比
BSS84,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSS84_SOT23

¥0.243 

阶梯数 价格
210: ¥0.243
1,500: ¥0.21
3,000: ¥0.186
61,620 对比
BSS84AK,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSS84AK_TO-236AB

¥0.5753 

阶梯数 价格
90: ¥0.5753
200: ¥0.261
1,500: ¥0.1635
3,000: ¥0.1127
53,078 对比
BSS84P H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS84PH6327XTSA2_2.9mm SOT-23

¥0.6862 

阶梯数 价格
220: ¥0.6862
500: ¥0.6066
2,000: ¥0.5876
4,000: ¥0.5876
17,860 对比
BSS84PH6327XTSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS84P H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.5499 

阶梯数 价格
100: ¥0.5499
200: ¥0.3549
1,500: ¥0.3081
3,000: ¥0.273
7,524 对比

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